тип шины unganged dual ddr3 sdram что значит
Изучаем параметры DDR3
Рассмотрение диапазона таймингов, напряжений, частот, а также отличий от предыдущих типов – вот что является темой данной статьи.
DDR3
Стандарт Double Data Rate 3 является логическим продолжением цепочки SDR-DDR-DDR2. Как многие знают, отличие DDR от SDR состояло в том, что передача данных по интерфейсу происходила на обоих фронтах опорной частоты, а не по положительному фронту, как у SDR. Таким образом, за один такт передавалось вдвое больше информации. Чтобы информацию с вдвое большей скоростью передать контроллеру, она должна и поступать их чипов вдвое быстрее. Это реализовано с помощью удвоения внутренней ширины модуля памяти. При этом за одну команду чтения мы получаем сразу n единиц данных. Такая архитектура была названа n-prefetch. Общая формула расчёта – 2^n prefetch, где n – поколение устройства памяти. У DDR1 одной командой передаётся 2 единицы данных, у DDR2 – 4, соответственно у DDR3 – 8. При этом минимальное значение Burst Length (параметра, определяющего длину считываемого за раз пакета данных) соответственно равно 2, 4 и 8.
Понятно, что с переходом на новое поколение количество данных, передаваемых интерфейсом за такт, не меняется, иначе менялось бы название (QDR, ODR). Меняется только ширина внутренней шины модуля. Таким образом, в модуле DDR 400 опорная частота составляет 200МГц (DDR), частота чипов 200МГц (2n-prefetch). В модулях DDR2-800 опорная частота равна 400МГц (DDR), внутренняя частота чипов – 200МГц (4n-prefetch). В модуле DDR3-800 опорная частота равна 400МГц, а частота чипов – 100МГц (8n-prefetch).
Отсюда становится ясно, почему всё время растут тайминги памяти. Если чипам нужно 10нс для тайминга CL (это CL=2 на DDR400), то в модуле DDR2-800 этот тайминг будет равняться 4, при той же частоте чипов, т.к. абсолютное значение времени не изменилось (10нс), а относительное (из-за уменьшения вдвое длительности одного такта) увеличилось вдвое. Для DDR3-1600 этот тайминг уже будет составлять 8 тактов. Хочется добавить по поводу таймингов при одинаковой частоте интерфейса – DDR2-800 и DDR3-800, к примеру. Тайминги у них равны, а вся разница вытекает из обкатанности одного процесса к моменту выпуска другого поколения, то есть из-за сравнения необкатанной новой технологии и обкатанной старой.
От слов к делу.
Основные нововведения:
Частоты 800/1066/1333/1600МГц
Напряжение питания 1.5В
Дифференциальный фронт сигнала
Burst Length 4(Burst terminate), 8
Динамическая терминация сигнала на чипе (Dynamic ODT)
Поддержка программируемого CAS Latency в (4), 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 тактов
Поддержка программируемого Additive Latency в режимах 0, CL-1, CL-2.
Программируемый CAS Write Latency (CWL) в 5, 6, 7, 8 тактов
Переключение BL на лету
8 логических банков
Наличие встроенного термодатчика (является нововведением для десктопной платформы, но уже было реализовано в FB-DIMM).
Выбор мощности сигналов с помощью EMRS
Поддержка Auto Self Refresh
8 бит предвыборка
На данный момент представлены чипы двух плотностей – 512Mbit и 1Gbit.
Количество банков составляет 8, что означает использование тайминга tFAW на всех модулях. Напряжение по спецификации составляет 1,5В. Модули, предназначенные для разгона или разогнанные производителем, будут работать традиционно при большем напряжении. Согласно даташиту Hynix DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs Based on 1Gb Z ver., максимальное допустимое напряжение составляет 1.975В, то есть модули будут работать при напряжениях до 2,0В. Оверклокеры-экстремалы будут использовать и большие значения, но очень маловероятно, что для постоянного использования напряжение будет превышать 2,1В. Об этом можно судить как по процентному соотношению напряжения при разгоне DDR2, так и вольтмодам GDDR3. Частоты этого типа памяти, как я писал ранее будут начинаться с 800МГц и дойдут до 1600МГц. Отсюда, кстати, можно сделать интересное наблюдение – частота чипов не меняется с течением времени. У DDR внутренняя частота была в диапазоне 100-200МГц (DDR200-DDR400), у DDR2 – то же самое, начиналось со 100 и заканчивалось 200МГц (DDR2-400 – DDR2-800). Стандарт DDR3 продолжает эту тенденцию со своим диапазоном частот DDR3-800 – DDR3-1600 (реальная внутренняя те же 100-200МГц). Стало быть, DDR4, наиболее вероятно, будет работать на частотах интерфейса от DDR4-1600 до DDR4-3200. Это ниже, чем рамки частот GDDR. Связано это с более жесткими ограничениями на подаваемую чипам мощность и требованиями к охлаждению и таймингам. Исследование вопроса диапазона частот GDDR разных версий и DDR во внештатном режиме может быть исследовано позднее.
Теперь об одном из важнейших параметров нового типа памяти – таймингах. Все принятые стандартом схемы таймингов сведены в таблицу. Соответствие режимов CL-X и CWL-X с частотами дано для установления обратной совместимости различных модулей.
Отсюда видно, что уже расписаны параметры для будущих 8Гб чипов. А также факт, что подтайминги вроде WR, WTR и другие не поменялись относительно DDR2. Разница лишь в основных таймингах. Именно они и будут определять расстановку сил DDR3 vs DDR2 и привлекательность новинки. Модули уже начали появляться в продаже, но нормальных обзоров с изменением таймингов и разгоном проведено не было.
Использованная литература:
1. JEDEC STANDARD DDR2 SDRAM SPECIFICATION JESD79-2C
2. Samsung DDR3 SDRAM Specification revision 0.1
3. Samsung 512Mb E-die DDR3 SDRAM Specification
4. Hynix DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs Based on 1Gb Z ver.
Как правильно выбрать ОЗУ, оперативную память, оперативку?
Мое почтенье дорогие посетители сайта. В прошлой статье я писал о том, что такое оперативная память. Теперь, узнав что это такое и для чего и как оно служит, многие из Вас наверно подумываете о том, чтобы приобрести для своего компьютера более мощную и производительную оперативку. Ведь увеличение производительности компьютера с помощью дополнительного объёма памяти ОЗУ является самым простым и дешевым (в отличии например от видеокарты) методом модернизации вашего любимца.
И… Вот вы стоите у витрины с упаковками оперативок. Их много и все они разные. Встают вопросы: А какую оперативную память выбрать?Как правильно выбрать ОЗУ и не прогадать?А вдруг я куплю оперативку, а она потом не будет работать? Это вполне резонные вопросы. В этой статье я попробую ответить на все эти вопросы. Как вы уже поняли, эта статья займет свое достойное место в цикле статей, в которых я писал о том, как правильно выбирать отдельные компоненты компьютера т.е. железо. Если вы не забыли, туда входили статьи:
— Покупка жесткого диска: Какой жесткий диск выбрать?
— Intel или AMD. Что лучше? Проблематика выбора.
— Какую видеокарту лучше выбрать?
Этот цикл будет и дальше продолжен, и в конце вы сможете уже собрать для себя совершенный во всех смыслах супер компьютер 🙂 (если конечно финансы позволят :))
А пока учимся правильно выбирать для компьютера оперативную память.
Поехали!
Оперативная память и её основные характеристики.
При выборе оперативной памяти для своего компьютера нужно обязательно отталкиваться от вашей материнской платы и процессора потому что модули оперативки устанавливаются на материнку и она же поддерживает определенные типы оперативной памяти. Таким образом получается взаимосвязь между материнской платой, процессором и оперативной памятью.
Узнать о том, какую оперативную память поддерживает ваша материнка и процессор можно на сайте производителя, где необходимо найти модель своей материнской платы, а также узнать какие процессоры и оперативную память для них она поддерживает. Если этого не сделать, то получится, что вы купили супер современную оперативку, а она не совместима с вашей материнской платой и будет пылиться где нибудь у вас в шкафу. Теперь давайте перейдем непосредственно к основным техническим характеристикам ОЗУ, которые будут служить своеобразными критериями при выборе оперативной памяти. К ним относятся:
Вот я перечислил основные характеристики ОЗУ, на которые стоит обращать внимание в первую очередь при её покупке. Теперь раскроем каждый из ни по очереди.
Тип оперативной памяти.
На сегодняшний день в мире наиболее предпочтительным типом памяти являются модули памяти DDR (double data rate). Они различаются по времени выпуска и конечно же техническими параметрами.
Объём оперативной памяти.
Про объём памяти много писать не буду. Скажу лишь, что именно в этом случае размер имеет значение 🙂
Все несколько лет назад оперативная память объёмом в 256-512 МБ удовлетворяла все нужды даже крутых геймерских компьютеров. В настоящее же время для нормального функционирования отдельно лишь операционной системы windows 7 требуется 1 Гб памяти, не говоря уже о приложениях и играх. Лишней оперативка никогда не будет, но скажу Вам по секрету, что 32-х разрядная windows использует лишь 3,25 Гб ОЗУ, если даже вы установите все 8 Гб ОЗУ. Подробнее об этом вы можете прочитать здесь.
Габариты планок или так называемый Форм — фактор.
Form — factor — это стандартные размеры модулей оперативки, тип конструкции самих планок ОЗУ.
DIMM (Dual InLine Memory Module — двухсторонний тип модулей с контактами на обоих сторонах) — в основном предназначены для настольных стационарных компьютеров, а SO-DIMM используются в ноутбуках.
Тактовая частота.
Это довольно таки важный технический параметр оперативной памяти. Но тактовая частота есть и у материнской платы и важно знать рабочую частоту шины этой платы, так как если вы купили например модуль ОЗУ DDR3-1800, а слот (разъём) материнской платы поддерживает максимальную тактовую частоту DDR3-1600, то и модуль оперативной памяти в результате будет работать на тактовой частоте в 1600 МГц. При этом возможны всяческие сбои, ошибки в работе системы и синие экраны смерти.
Примечание: Частота шины памяти и частота процессора — совершенно разные понятия.
Из приведенных таблиц можно понять, что частота шины, умноженная на 2, дает эффективную частоту памяти (указанную в графе «чип»), т.е. выдает нам скорость передачи данных. Об этом же нам говорит и название DDR (Double Data Rate) — что означает удвоенная скорость передачи данных.
Приведу для наглядности пример расшифровки в названии модуля оперативной памяти — Kingston/PC2-9600/DDR3(DIMM)/2Gb/1200MHz, где:
— Kingston — производитель;
— PC2-9600 — название модуля и его пропускная способность;
— DDR3(DIMM) — тип памяти (форм фактор в котором выполнен модуль);
— 2Gb — объем модуля;
— 1200MHz — эффективная частота, 1200 МГц.
Пропускная способность.
Тайминги (латентность).
Тайминги (или латентность) — это временные задержки сигнала, которые, в технической характеристике ОЗУ записываются в виде «2-2-2» или «3-3-3» и т.д. Каждая цифра здесь выражает параметр. По порядку это всегда «CAS Latency» (время рабочего цикла), «RAS to CAS Delay» (время полного доступа) и «RAS Precharge Time» (время предварительного заряда).
Режимы работы памяти.
Оперативная память может работать в нескольких режимах, если конечно такие режимы поддерживаются материнской платой. Это одноканальный, двухканальный, трехканальный и даже четырехканальный режимы. Поэтому при выборе оперативной памяти стоит обратить внимание и на этот параметр модулей.
Теоретически скорость работы подсистемы памяти при двухканальном режиме увеличивается в 2 раза, трехканальном – в 3 раза соответственно и т.д., но на практике при двухканальном режиме прирост производительности в отличии от одноканального составляет 10-70%.
Рассмотрим подробнее типы режимов:
Обычно наиболее распространенным вариантом является двухканальный режим памяти.
Для работы в многоканальных режимах существуют специальные наборы модулей памяти — так называемая Kit-память (Kit-набор) — в этот набор входит два (три) модуля, одного производителя, с одинаковой частотой, таймингами и типом памяти.
Внешний вид KIT-наборов:
для двухканального режима
для трехканального режима
Но самое главное, что такие модули тщательно подобраны и протестированы, самим производителем, для работы парами (тройками) в двух-(трёх-) канальных режимах и не предполагают никаких сюрпризов в работе и настройке.
Производитель модулей.
Сейчас на рынке ОЗУ хорошо себя зарекомендовали такие производители, как: Hynix, amsung, Corsair, Kingmax, Transcend, Kingston, OCZ…
У каждой фирмы к каждому продукту имеется свой маркировочный номер, по которому, если его правильно расшифровать, можно узнать для себя много полезной информации о продукте. Давайте для примера попробуем расшифровать маркировку модуля Kingston семейства ValueRAM (смотрите изображение):
Приведу еще один пример маркировки CM2X1024-6400C5:
Из маркировки видно, что это модуль DDR2 объемом 1024 Мбайт стандарта PC2-6400 и задержками CL=5.
Марки OCZ, Kingston и Corsair рекомендуют для оверклокинга, т.е. имеют потенциал для разгона. Они будут с небольшими таймингами и запасом тактовой частоты, плюс ко всему они снабжены радиаторами, а некоторые даже кулерами для отвода тепла, т.к. при разгоне количество тепла значительно увеличивается. Цена на них естественно будет гораздо выше.
Советую не забывать про подделки (их на прилавках очень много) и покупать модули оперативной памяти только в серьезных магазинах, которые дадут Вам гарантию.
Напоследок:
На этом все. С помощью данной статьи, думаю, вы уже не ошибетесь при выборе оперативной памяти для своего компьютера. Теперь вы сможете правильно выбрать оперативку для системы и повысить её производительность без каких либо проблем. Ну, а тем кто купит оперативную память (или уже купил), я посвящу следующую статью, в которой я подробно опишу как правильно устанавливать оперативную память в систему. Не пропустите…
Лучшая оперативная память 2019
Corsair Dominator Platinum
Лучшая память среди одноклассников с высокой производительностью и инновациями в технологии RGB. Стандарт DDR4, скорость 3200MHz, дефолтные тайминги 16.18.18.36, два модуля по 16 гигабайт. У планок яркие светодиоды подсветки Capellix RGB, продвинутая программа iCUE теплоотводы Dominator DHX. Единственная проблема – может не подойти высота модуля.
Компания Corsair, как всегда, с каждой новой моделью превосходит саму себя, Dominator Platinum не стала исключением. Сегодня это излюбленный набор памяти DDR4 для геймеров и владельцев мощных рабочих станций. Внешний вид модулей гладкий и стильный импонирует любителям гейминга, DHX охлаждение работает эффективно, а производительность планок уже готова стать легендой. В любом случае, на долгие годы она обеспечит пользователя флагманскими параметрами. Сейчас у памяти новый дизайн, новая, более яркая подсветка Corsair Capellix на 12 светодиодов. Программное обеспечение (фирменное) iCUE обеспечивает гибкую настройку памяти на максимальную производительность. Если вы поменяли материнку или процессор, а может быть и графический ускоритель, под любой новый компонент память можно настроить как родную.
Ценник у памяти несколько выше, чем у других производителей, но это компенсируется высочайшим качеством и потрясающей производительностью.
ganged и unganged что это
Q^ Я установил ЦП семейства Phenom и модули памяти, согласно руководству для задействования двухканального режима работы памяти, но в момент прохождения процедуры пост, системой отображается режим “unganged mode, 64-bit”. Как мне задействовать 128-бит двухканальный режим работы памяти?
Может быть Вы спросите какие преимущества даёт этот режим? Отвечу: теоретически пропускная способность памяти (а это быстродействие компьютера) увеличивается вдвое, но станет ли Ваш комп вдвое резвей? Исследования и эксперименты, проведенные вскоре после первого появления этого режима (на чипсетах от nVidia для процессоров Athlon) были проведени тесты и эксперименты, которые показали 10-15% рост производительности системы. Нельзя сказать что это ВСЕГО 10-15%, порой процессор, увеличивающий производительность системы на тот же порядок стоит В РАЗЫ больше, чем обыкновенный (который по приемлемой цене) так что организовать GANGED MODE — стоит!
P.S. спроста недодумаешься в меню «интеллектуального разгона зайти»
P.P.S. так что в отличие от сокета АМ2, 939 и 462 (Socket A) на АМ3 и АМ3+ (и FM2, я думаю) недостаточно правильно (парами и по цветам) расположить планки памяти!
#двухканальный режим #ganged #unganged mode #am2 #am3 #ам2 #ам3 #матплата #сокет #феном #АМД,
User Rating:
/ 98
What AMD says about the ganged vs unganged question
AMD has some excellent documentations that can be download for free. Let’s examine some extract of the “BIOS and Kernel Developer’s Guide (BKDG) For AMD Family 10h Processors ”. On section 2.8 we can find some considerations on ganged vs unganged mode. If you are interested in checking the doc, I suggest you to especially read these sections:
In short, the documentation indicates that:
In ganged mode, we have a 128 bit wide logical DIMM that map the first 64 bit on physical DDR channel A and the last 64 bit on DDR channel B. So we can state that a single 128 bit operation is effectively split between two memory channel; on the other hand, the DCTs can not operate independently. In other words, the physical address space is interleaved between the two DIMM in 64 bit steps
In unganged mode, each DCT can act independently and has its own 64 bit wide address space. In this mode the processor can be programmed to interleave the single, physical address space on the two normalized address space associated with the two memory channel; however, the finer possible interleaving unit is the cache line size (64 bytes)
AMD officially suggest to enable unganged mode to benefit from increased parallelism
Some CPU models (for example, the 8 and 12 core Magny Cours G34 processors), can only use the unganged mode.
I draw a graph that, hopefully, should help explaining the differences between ganged and unganged modes:
As you can see, in the ganged mode the physical address space is spread between the two memory channel with a 64 bit granularity: this means that two consecutive 64 bit access will read from two different memory channels and, more importantly, that a 128 bit access can utilize both channel.
On the other hand, in the unganged mode a (relatively) large portion of physical address space is bound to a single memory channel. In the graph above this portion is 64 bytes length, but the K10 processors can be programmed to use an even more coarse grained interleaving scheme. However, the normal interleaving unit in unganged mode is 64 byte length (as shown in the graph), as longer unit can cause a tangible performance loss.
From what we see, one should think that neither approach is the ideal one: the usual registers and operands size is 64 bit (8 byte), so it appear that both the ganged and unganged methods will read this 64 bit entity over only a single memory channel, effectively wasting bandwidth. A byte interleaved (or bit interleaved) mode should give as a great performance boost, right? Simply stated: no. The key point to understand here is that processors do not move in and out from memory data chunks of arbitrary length, but use a fixed-sized scheme: they move data from and to main memory only on a cache line base. On Phenom processor the cache line size is 64 byte long, so these processors move data from and to main memory only in 64 bytes chunks. This means that if we try to read a byte at address 0x0, the entire cache line (64 byte) will be fetched by the processor! While this can seems counterproductive, it has its reasons, especially related to space locality and cache design. It is beyond the scope of this article to explain why processors behave in this manner, but in short we can state that this design permit good performance boost (because exploit code and data space locality) and the creation of very dense caches.
As memory operations happens in 64 bytes chunks, it appear that ganged mode will always win: it can spread that 64 bytes operations on the two memory channel, while the unganged mode will only use a single memory channel. The reality, however, is the the unganged mode rarely suffer from this problem, because normally there are many outstanding memory request to be completed, so there are many outstanding cache line to be fetched from or stored to main memory. While the ganged mode will be faster in operating on a single cache line, the unganged mode can theoretically operate on two cache line at a given moment (with some restrictions). This parallelism can be realized because the memory controller incorporate an 8 entry depth memory controller queue (the “MCQ” box in the drawing above), for a total of 8 outstanding cache line requests.
However, simply stating that the unganged mode has the potential to be often on par with the ganged mode is not enough: in this case, we can simply use the ganged mode and forget about the unganged mode. The point is that the unganged mode has potential to be faster that ganged mode. Why? Because we must realize that main memory access don’t happen immediately, as the DRAM chip require many ns to be accessed: after this initial access time the data can be transferred quite quickly, but the initial access steps can be very slow (from a processor standpoint). Starting two memory operations at the same time, the memory controller has the possibility to hide at least partially the latency involved in the setup steps of the second operations. Obviously this is not always true, but it is a possibility indeed and, so, this can be an advantage of unganged vs ganged method. Moreover, using the unganged mode the memory controller can theoretically both write to and read from memory at the same time: this should help memory copy routines and multitasking operating system, where many processes can both read from and write to memory at the same time.
Summarizing the whole point, we can state that:
the ganged mode has the potential to be faster than unganged mode because it use a more fine grained interleave mode
the unganged mode has the potential to be faster than ganged mode because it can start two memory operations at the sime time, effectively hiding at least part of the latency involved in the second operation. Also, this mode permit to both read from and write to memory at the same time, with the intrinsic advantages that this possibility implies.
So, we don’t have a “magic setting” that will always give us the better possible performance. We should run some benchmarks to understand wich applications and scenarios benefits from one method rather than the other.
Автор Тема: Заставить работать ОЗУ в Двухканальном режиме(Dual) на ноутбуке (Прочитано 33835 раз)
0 Пользователей и 1 Гость смотрят эту тему.
Страница сгенерирована за 0.051 секунд. Запросов: 28.